| 竞价编号：JJ25092416580464 | |
| 项目名称：硅光电倍增管采购HCAL样机 | |
| 项目预算(元)：65,000.00 | 报价方式： 总价报价 |
| 采购单位：华南师范大学 | 联系人：****** |
| 最少有效报价家数：3 | 联系电话：****** |
| 联系手机：****** | 电子邮箱：****** |
| 异议反馈：****** | |
| 开始时间：2025-09-25 15:37:40 | 截止时间：2025-09-28 16:58:03 |
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报价方式说明：
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| 资格条件：华为海思硅光电倍增管授权代理商 |
| 付款方式：完成合同约定内容，验收通过并收到发票后30个工作日内，支付100%合同金额。 | |
| 履约保证金： 无需履约保证金 | |
| 交付时间： 合同签订后14个工作日内交付 | |
| 交付地址： 华南师范大学大学城校区理八栋。 | |
| 质保期及售后要求：12个月质保 | |
| 其他要求：无 | |
| 备注：暂无 |
| 序号 | 标的名称 | 数量 | 计量单位 | 生产厂商/品牌 | 型号规格 | 是否限定品牌 | 技术要求 |
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| 1 | 硅光电倍增管 | 1029.00 | 个 | 海思 HISILICON | ZDS5870V100 | 是 | 一般参数： 击穿电压：37.8--38.3V 过偏压：1-12V 工作电压：38.8-50.3V 光谱响应范围：300-900nm 峰值响应波长：420nm 击穿电压温度系数：46mV/°C 几何参数： 感光面积：5.88 × 5.88 mm平方 像素尺寸：40μm 性能参数： 光探测效率@420nm：67% 暗计数率：600-700 kcps/mm平方 暗电流：35μA 串扰概率：21% 后脉冲：＜1% 像素充电时间：45ns 像素电容：1550pF 封装规格： 封装尺寸：6.135 × 6.135 mm平方 焊接条件：回流焊 回流焊峰值温度：245度 表面材料：玻璃 湿度敏感等级：MSL3 |
| 序号 | 附件名称 | 上传时间 | 大小 | 操作 |
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